《科創(chuàng)板日報》24日訊，據(jù)韓國半導(dǎo)體業(yè)界近日透露，三星電子正在改進(jìn)12納米級動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）“D1b”的設(shè)計。三星電子于2023年首次量產(chǎn)“D1b”，應(yīng)用于顯卡DRAM和手機(jī)DRAM上。此次改變已生產(chǎn)一年多的DRAM設(shè)計是半導(dǎo)體行業(yè)中罕見的案例。