①尹志堯表示,當(dāng)芯片工藝從2D到3D發(fā)展,以及10nm以下的制程升級(jí),刻蝕跟薄膜的應(yīng)用總量跟步驟數(shù)大大增加,近年市場(chǎng)體量增長(zhǎng)很快; ②在今后五到十年內(nèi),中微公司將與合作伙伴共同覆蓋60%的集成電路高端設(shè)備,包括刻蝕薄膜及量檢測(cè)設(shè)備,以及一部分濕法設(shè)備,成為平臺(tái)式的集團(tuán)公司。
《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5月29日訊(記者 郭輝) 5月27日上午10點(diǎn),中微公司舉行2024年度暨2025年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)。
會(huì)后,中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯接受了投資者提問(wèn)及媒體專訪,對(duì)中微公司未來(lái)5到10年的產(chǎn)品戰(zhàn)略、人才團(tuán)隊(duì)建設(shè)及接班人培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)突破封鎖路徑及前景等話題進(jìn)行了解答。
聚焦主業(yè):刻蝕、薄膜設(shè)備訂單快速起量
等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備是除了光刻機(jī)以外非常重要、也是市場(chǎng)空間廣闊的關(guān)鍵設(shè)備。 “這是因?yàn)榭涛g需要幾百種不同材料,精雕細(xì)琢刻成各種不同形狀,CCP(高能等離子體刻蝕機(jī))跟ICP(低能等離子體刻蝕機(jī))設(shè)備加起來(lái)大概有300多種不同的應(yīng)用?!?/p>
“尤其是在芯片工藝從2D到3D發(fā)展,以及10nm以下的制程升級(jí),刻蝕跟薄膜的應(yīng)用總量跟步驟數(shù)大大增加,近年市場(chǎng)體量的增長(zhǎng)很快?!?/strong>中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯在5月27日舉行的業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上介紹稱。
從2019年至2024年,中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備收入以年均超過(guò)50%的速度快速成長(zhǎng)。其中,中微公司CCP設(shè)備做了20年、ICP不到10年,但I(xiàn)CP設(shè)備近兩年連續(xù)以超過(guò)100%的速度實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng),二者的訂單體量如今已經(jīng)十分接近。
在過(guò)去的20年間,中微公司共計(jì)開(kāi)發(fā)了3代、18款刻蝕機(jī),產(chǎn)品開(kāi)發(fā)節(jié)奏不斷加快,并且應(yīng)用于主流客戶及產(chǎn)品市場(chǎng)。
尹志堯表示,“可以很自豪地講,在等離子體刻蝕領(lǐng)域,我們基本可以全面覆蓋(不同應(yīng)用),包括成熟及先進(jìn)邏輯器件、閃存、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、特殊器件等,并且已經(jīng)有95%到99%的應(yīng)用都有了批量生產(chǎn)的數(shù)據(jù)或客戶認(rèn)證的數(shù)據(jù)?!?/p>
工藝精度上,中微公司ICP刻蝕機(jī)Twin-star兩臺(tái)的加工精度已經(jīng)進(jìn)入皮米數(shù)量級(jí),達(dá)到100皮米以下水平;雙臺(tái)刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)原子、亞原子水平刻蝕控制,達(dá)到全球先進(jìn)水平。目前業(yè)內(nèi)量產(chǎn)所用刻蝕機(jī)的深寬比在60:1,中微公司正在突破90到100:1的深孔刻蝕。
以我國(guó)先進(jìn)存儲(chǔ)行業(yè)的應(yīng)用為例,得益于高精度的設(shè)備工藝,中微公司產(chǎn)品為行業(yè)解決了其中5大最為關(guān)鍵的卡脖子設(shè)備。
除刻蝕設(shè)備外,中微公司自2010年開(kāi)始不斷開(kāi)始擴(kuò)大在薄膜設(shè)備領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)應(yīng)用。開(kāi)發(fā)策略是從MOCVD切入,到近幾年開(kāi)始集中力量開(kāi)發(fā)LPCVD,接著做外延EPI設(shè)備、原子層沉積ALD設(shè)備,目前已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)包括了PVD、ALD和LPCVD的大規(guī)模集成設(shè)備,并且也在利用新一代等離子體源開(kāi)發(fā)PECVD設(shè)備。
據(jù)介紹,中微公司規(guī)劃了近40種導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的開(kāi)發(fā)。其中9種設(shè)備已經(jīng)完成開(kāi)發(fā),6款實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)1年,今年計(jì)劃將完成7種設(shè)備開(kāi)發(fā)。
“我們很快將會(huì)把國(guó)際對(duì)國(guó)內(nèi)禁運(yùn)的20多種薄膜設(shè)備開(kāi)發(fā)完成,預(yù)計(jì)到2029年完成所有開(kāi)發(fā)”。尹志堯如是稱。
中微公司設(shè)備產(chǎn)品在投入市場(chǎng)后迅速受到產(chǎn)業(yè)歡迎。據(jù)介紹,以LPCVD跟ALD鎢金屬沉積設(shè)備為例,近兩年實(shí)現(xiàn)快速放量,2023年訂單還只有1臺(tái),2024年就發(fā)貨128臺(tái),到2025年預(yù)計(jì)將大幅增長(zhǎng)。
“雖然公司薄膜設(shè)備現(xiàn)在的銷售額還不到10億,但相信3年到5年之內(nèi),預(yù)計(jì)至少成長(zhǎng)到公司現(xiàn)在刻蝕設(shè)備一半的規(guī)模,達(dá)到同等數(shù)量級(jí)?!?/p>
詳解平臺(tái)化布局 自研+外延同時(shí)發(fā)力
與國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備公司發(fā)展戰(zhàn)略一樣,中微公司也在規(guī)劃平臺(tái)化布局。
據(jù)尹志堯介紹,目前中微可以覆蓋30%的集成電路設(shè)備。而在今后五到十年內(nèi),中微公司將與合作伙伴共同覆蓋60%的集成電路高端設(shè)備,包括刻蝕、薄膜及量檢測(cè)的全部設(shè)備,以及一部分濕法設(shè)備,成為平臺(tái)式的集團(tuán)公司。
尹志堯表示, “中微公司從來(lái)都是有機(jī)生長(zhǎng)(自研)跟外延擴(kuò)張相結(jié)合。我們的基點(diǎn)在技術(shù)而不在并購(gòu),光靠并購(gòu)做大的公司根基不穩(wěn),核心還是要增加自己的本事?!?/strong>
以量檢測(cè)設(shè)備為例,中微公司七、八年前就已經(jīng)開(kāi)始布局,其中電子束量檢測(cè)設(shè)備事關(guān)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)制程工藝開(kāi)發(fā),也是一大短板。據(jù)介紹,目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家公司做電子束檢測(cè),不過(guò)中微公司沒(méi)有選擇向外做并購(gòu),而是尋找全球該領(lǐng)域的頂級(jí)專家,自己組建團(tuán)隊(duì),計(jì)劃快速把電子束檢測(cè)設(shè)備快速做起來(lái)。
在集成電路設(shè)備之外,中微公司刻蝕薄膜技術(shù),還可向外擴(kuò)展至6大類的泛半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備,包括平板顯示設(shè)備、太陽(yáng)能電池設(shè)備、發(fā)光二極管設(shè)備、微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備(MEMS)、功率器件及其他、3D先進(jìn)封裝及Chiplet。
據(jù)介紹,在寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備市場(chǎng),中微公司開(kāi)發(fā)了多種MOCVD設(shè)備。其中,碳化硅功率器件外延設(shè)備目前已經(jīng)進(jìn)入生產(chǎn)驗(yàn)證階段,氮化鎵Micro LED藍(lán)綠光設(shè)備已經(jīng)被核準(zhǔn)并進(jìn)入生產(chǎn),氮化鎵功率器件外延設(shè)備、砷化鎵紅黃光設(shè)備將在今年進(jìn)入生產(chǎn)。
中微公司還在大平板設(shè)備方面進(jìn)行了多年的研究開(kāi)發(fā)。尹志堯表示,大平板設(shè)備體積較大,且設(shè)備開(kāi)發(fā)成本昂貴,不適合中小規(guī)模的半導(dǎo)體設(shè)備公司開(kāi)發(fā),并且相關(guān)設(shè)備直至近兩年才由于國(guó)際供應(yīng)形勢(shì)變化受到業(yè)內(nèi)關(guān)注,算是從0起步。中微公司之所以選擇做大平板設(shè)備,在于其薄膜、沉積、量檢測(cè)技術(shù)環(huán)節(jié)都涉及新的技術(shù)工藝,包括玻璃基板、面板級(jí)先進(jìn)封裝開(kāi)發(fā)等產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)以及智能玻璃等終端應(yīng)用,“目前來(lái)看這一市場(chǎng)非常有前景”。
中微公司大平板顯示PECVD等離子體加強(qiáng)的化學(xué)薄膜設(shè)備用時(shí)15個(gè)月完成開(kāi)發(fā),樣機(jī)用時(shí)1年開(kāi)始運(yùn)行,用時(shí)3個(gè)月設(shè)備工藝達(dá)到LCD及OLED的量產(chǎn)指標(biāo)。
在5月27日的業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)后,尹志堯接受了多家投資機(jī)構(gòu)及媒體的采訪,分享了他在企業(yè)經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略當(dāng)中的經(jīng)驗(yàn)和產(chǎn)業(yè)洞見(jiàn)?!犊苿?chuàng)板日?qǐng)?bào)》整理了其中幾條:
1.AI技術(shù)正在半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)中體現(xiàn)出價(jià)值,中微公司走在行業(yè)之前,現(xiàn)在有一個(gè)將近50人的團(tuán)隊(duì)專門(mén)搞AI算法,并參與到半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)設(shè)計(jì)中,形成了幾十個(gè)案例,加快了開(kāi)發(fā)進(jìn)展。
2.半導(dǎo)體設(shè)備未來(lái)不能只靠一家公司。目前國(guó)內(nèi)比較成熟的半導(dǎo)體設(shè)備公司正在快速發(fā)展,因?yàn)楫a(chǎn)品門(mén)類很多,現(xiàn)在的情況來(lái)看行業(yè)并不算“內(nèi)卷”,但即使沒(méi)有外力推動(dòng),未來(lái)產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)也是向頭部少數(shù)幾家企業(yè)集中,中微公司希望成為其中之一。
3.國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體設(shè)備公司還沒(méi)有能力做自己的創(chuàng)新設(shè)計(jì),開(kāi)始學(xué)習(xí)的過(guò)程中模仿無(wú)可非議,但中微公司的產(chǎn)品從來(lái)都有自己的獨(dú)特設(shè)計(jì)。
4.如果沒(méi)有EUV,用DUV光刻機(jī)做到5nm沒(méi)有問(wèn)題,只是需要更多刻蝕薄膜的雙重、多重曝光工藝環(huán)節(jié),但到3nm能不能做還是個(gè)問(wèn)號(hào),對(duì)此我相信中國(guó)人的能力和志氣。
5.如果光刻機(jī)不能很快解決的話,我們刻蝕薄膜的主業(yè)可以做的事情就是結(jié)合多重曝光的技術(shù),把制程做小,這也是我們的責(zé)任。
6.并購(gòu)政策推動(dòng)下,這兩年設(shè)備行業(yè)并購(gòu)案例還不算多,可能在于政策還沒(méi)有落到實(shí)處。建議提出并購(gòu)方案的上市企業(yè),可根據(jù)標(biāo)的公司經(jīng)營(yíng)規(guī)劃及業(yè)績(jī)完成情況進(jìn)行階梯性的溢價(jià)收購(gòu),給予被并購(gòu)公司在上市這條路徑的至少50%回報(bào),而且需要監(jiān)管不追求商譽(yù)減值分析,才有更多公司愿意合起來(lái)干。