財聯(lián)社7月18日電，集成電路是現(xiàn)代信息技術的核心基礎。近年來，隨著硅基芯片性能逐步逼近物理極限，開發(fā)新型高性能、低能耗半導體材料，成為全球科技研發(fā)熱點。其中，二維層狀半導體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優(yōu)良性能，被視為有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經(jīng)四年攻關，首創(chuàng)一種“蒸籠”新方法，首次在國際上成功實現(xiàn)高質量硒化銦材料的晶圓級集成制造，并研制出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。該成果18日在線發(fā)表于《科學》雜志。