財聯(lián)社8月13日電，記者昨日從市國資委了解到，由市屬國企深重投集團(tuán)與市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。該國創(chuàng)中心在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項指標(biāo)均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術(shù)瓶頸，可批量應(yīng)用于大尺寸、高質(zhì)量氮化鎵外延材料制備，為現(xiàn)有硅基氮化鎵技術(shù)路線提供了一種極具競爭力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。 (深圳特區(qū)報)