《科創(chuàng)板日報》9月4日訊（記者 吳旭光） 今日（9月4日），第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（簡稱：CSEAC 2025）在無錫舉行。作為CSEAC展會的重要組成部分，2025半導(dǎo)體制造與材料董事長論壇備受矚目，該論壇由上海報業(yè)集團旗下財聯(lián)社、《科創(chuàng)板日報》以及CSEAC展會主辦方共同聯(lián)合主辦。

在“2025半導(dǎo)體制造與半導(dǎo)體專用材料董事長論壇”上，中國電子材料行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體材料分會秘書長林健圍繞半導(dǎo)體材料技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同及全球化布局等核心議題進行了話題分享。

在致辭環(huán)節(jié)，林健明確提出，應(yīng)把第三代及超寬禁帶半導(dǎo)體材料為核心抓手，加快關(guān)鍵領(lǐng)域自主可控進程，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動力。

產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀：結(jié)構(gòu)升級態(tài)勢顯著 寬禁帶材料成增長新引擎

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在現(xiàn)代經(jīng)濟和科技發(fā)展中占據(jù)著舉足輕重的地位，它支撐著整個信息社會的運行。

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，是推動現(xiàn)代科技革命和產(chǎn)業(yè)升級的核心驅(qū)動力，更是國家科技自主可控的戰(zhàn)略高地。

近期，我國半導(dǎo)體材料實現(xiàn)了快速發(fā)展。在半導(dǎo)體硅材料領(lǐng)域，盡管全球硅材料出貨面積同比下滑，但在國內(nèi)去年出貨面積逆勢增長22.5%，達35.64億平方英寸，銷售額穩(wěn)定在123億元。此外，寬禁帶半導(dǎo)體等領(lǐng)域同樣捷報頻傳。

2024年，國內(nèi)砷化鎵材料市場規(guī)模約3.5億元，全球占比提升至15%；磷化銦材料雖規(guī)模實現(xiàn)全球3%的市場份額突破。在碳化硅襯底領(lǐng)域，國內(nèi)出貨量達128.8萬片，同比增長44.1%，全球出貨量占比超43%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模效應(yīng)初步顯現(xiàn)。

值得關(guān)注的是，繼山東天岳先進、山西爍科率先突破12英寸碳化硅單晶拉制技術(shù)后，目前國內(nèi)已有六家單位成功掌握該技術(shù)，標(biāo)志著我國在寬禁帶材料高端領(lǐng)域逐步縮小與國際差距。

技術(shù)突破：從寬禁帶到超寬禁帶 多項成果達國際先進水平

聚焦半導(dǎo)體材料技術(shù)前沿進展，林健認(rèn)為，我國已在第三代及超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多點突破。

在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域，蘇州納維團隊在國內(nèi)成功研制出6英寸氮化鎵體單晶材料，其2英寸襯底的位錯密度指標(biāo)達到世界領(lǐng)先水平，為高性能氮化鎵器件產(chǎn)業(yè)化奠定基礎(chǔ)；氧化鎵（Ga?O?）技術(shù)突破更具里程碑意義。

據(jù)悉，中國電科46所于2023年2月率先拉制出6英寸氧化鎵單晶后，2025年3月浙大鎵仁團隊采用鑄造法成功制備出全球首顆8英寸氧化鎵單晶，大幅提升我國在超寬禁帶材料領(lǐng)域的話語權(quán)。

此外，電科46所與奧趨光電分別實現(xiàn)4英寸、3英寸氮化鋁（AlN）單晶材料突破；西安交大王宏興團隊則完成2英寸異質(zhì)結(jié)外延單晶金剛石材料的商業(yè)化生產(chǎn)，填補了我國在超寬禁帶半導(dǎo)體材料商業(yè)化應(yīng)用領(lǐng)域的部分空白。

這些技術(shù)成果的落地，標(biāo)志著我國半導(dǎo)體材料正從“跟跑”向“并跑”甚至“領(lǐng)跑”轉(zhuǎn)變。

趨勢與挑戰(zhàn)：材料驅(qū)動產(chǎn)業(yè)變革 多重瓶頸亟待突破

展望半導(dǎo)體新材料未來發(fā)展，與會專家紛紛表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已進入“材料創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展”的新階段。

據(jù)市場三方數(shù)據(jù)統(tǒng)計，預(yù)計2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將突破7000億美元，同比增長13%以上；半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達747億美元，增速16.8%。其中，碳化硅材料市場規(guī)模將達20億美元，同比增幅20%，成為增速最快的細分領(lǐng)域之一。

展望未來，業(yè)界一致認(rèn)為，未來5-10年，隨著材料創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同深化，半導(dǎo)體新材料將引領(lǐng)新一輪科技革命，推動社會向智能化、綠色化轉(zhuǎn)型。

同時，在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的進程中，一系列深層次的挑戰(zhàn)仍有待突破。

林健對此表示，在高端材料領(lǐng)域，我國與國際先進水平仍有差距，ArF/DUV/EUV光刻氣、高端前驅(qū)體、先進濕電子化學(xué)品等關(guān)鍵材料依賴進口；資金投入不足與高端人才短缺問題突出，制約產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新速度；國際貿(mào)易摩擦與技術(shù)封鎖加劇，給供應(yīng)鏈穩(wěn)定帶來不確定性。

在此背景下，國內(nèi)企業(yè)需積極應(yīng)對、尋求突破。

協(xié)同破局：多舉措并舉凝聚合力 協(xié)會搭建產(chǎn)業(yè)服務(wù)橋梁

針對產(chǎn)業(yè)痛點，林健呼吁并提出五方面發(fā)展路徑：一是加大研發(fā)投入，構(gòu)建“材料—裝備—工藝—軟件”一體化攻關(guān)體系，深化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同；二是完善人才培養(yǎng)與引進機制，建立“基礎(chǔ)研究—工程化—量產(chǎn)運營”全鏈條人才梯隊；三是強化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動晶圓廠與材料企業(yè)聯(lián)合開展工藝驗證，加速材料國產(chǎn)化替代；四是推進標(biāo)準(zhǔn)化與國際化，以標(biāo)準(zhǔn)制定提升行業(yè)話語權(quán)，助力企業(yè)拓展海外市場；五是構(gòu)建多源供應(yīng)鏈，降低關(guān)鍵材料單點依賴風(fēng)險。

作為半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的橋梁和紐帶，中國電子材料協(xié)會在產(chǎn)業(yè)協(xié)同中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

林健進一步表示，中國電子材料協(xié)會通過組織行業(yè)交流、發(fā)布產(chǎn)業(yè)報告、參與政策制定等方式，為企業(yè)搭建信息共享與合作平臺；同時推動半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代，鼓勵企業(yè)與科研機構(gòu)聯(lián)合攻克技術(shù)難題，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造良好環(huán)境。

展望未來，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向“材料驅(qū)動”轉(zhuǎn)型，我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)迎來戰(zhàn)略機遇期。