《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5日訊，在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）期間，拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉表示，集成電路創(chuàng)新路徑需從平面走向三維，以突破存儲(chǔ)墻與I/O帶寬限制。原子級(jí)制造（ALD/ALE）與前道器件密度提升、鍵合技術(shù)與后道先進(jìn)封裝，是解決帶寬與密度問(wèn)題的關(guān)鍵。三維集成可將I/O帶寬提升千倍以上，HBM結(jié)構(gòu)、背面供電技術(shù)等成為重要方向。（陳俊清）