《科創(chuàng)板日報(bào)》9月11日訊 當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，Wolfspeed宣布，其200毫米碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用。此前，公司在初步向部分客戶提供200毫米碳化硅產(chǎn)品之后，市場反響積極。

Wolfspeed 同時(shí)還提供可立即進(jìn)行認(rèn)證的200毫米碳化硅外延片。

公司首席商務(wù)官Cengiz Balkas表示：“Wolfspeed的200毫米碳化硅晶圓不僅僅是尺寸的擴(kuò)展，更是一項(xiàng)材料創(chuàng)新?！逼渲赋?，200毫米碳化硅晶圓在350微米厚度下具有改進(jìn)的參數(shù)規(guī)格，并增強(qiáng)了摻雜和厚度均勻性。這些改進(jìn)旨在幫助設(shè)備制造商提高M(jìn)OSFET產(chǎn)量并加速產(chǎn)品上市時(shí)間。

此前Wolfspeed曾在5月深陷破產(chǎn)漩渦。彼時(shí)公司由于一直無法解決債務(wù)危機(jī)，將在數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)。其拒絕了債權(quán)人提出的多項(xiàng)庭外債務(wù)重組方案，計(jì)劃申請第11章破產(chǎn)保護(hù)，這一申請也得到其大多數(shù)債權(quán)人的支持。

不過在當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月8日，Wolfspeed宣布，公司重組計(jì)劃已獲得法院批準(zhǔn)，預(yù)計(jì)將在未來數(shù)周內(nèi)完成重整程序。一旦完成重整程序，Wolfspeed將減少約70%債務(wù)，使公司能夠更好地執(zhí)行其戰(zhàn)略優(yōu)先事項(xiàng)，并持續(xù)專注于創(chuàng)新。

除了工業(yè)、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域之外，AI行業(yè)也正在將目光投向碳化硅，有望為碳化硅帶來新增量市場。

9月5日有消息稱，為提升性能，英偉達(dá)在新一代Rubin處理器的開發(fā)藍(lán)圖中，計(jì)劃把CoWoS先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的中間基板材料，由硅換成碳化硅。目前臺積電邀請各大廠商共同研發(fā)碳化硅中間基板的制造技術(shù)，英偉達(dá)第一代Rubin GPU仍會采用硅中間基板。但由于英偉達(dá)對性能進(jìn)步的要求極高，當(dāng)芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱超過極限，就必須采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就會進(jìn)入先進(jìn)封裝。

東吳證券指出，以當(dāng)前英偉達(dá)H1003倍光罩的2,500mm2中介層為例，假設(shè)12英寸碳化硅晶圓可生產(chǎn)21個(gè)3倍光罩尺寸的中介層，2024年出貨的160萬張H100若未來替換成碳化硅中介層，則對應(yīng)76,190張襯底需求。臺積電預(yù)計(jì)2027年推出7×光罩CoWoS來集成更多處理&存儲器，中介層面積增至1.44萬mm2，對應(yīng)更多襯底需求。

單晶碳化硅作為一種具有高導(dǎo)熱性的半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)顯示其熱導(dǎo)率達(dá)到490W/m?K，比硅高出2–3倍。東方證券認(rèn)為，基于碳化硅晶體優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，其在散熱要求更高的環(huán)境中具有一定應(yīng)用潛力，有望在中介層、散熱基板等環(huán)節(jié)應(yīng)用，相關(guān)廠商有望受益，建議關(guān)注天岳先進(jìn)、三安光電。