《科創(chuàng)板日報》5月22日訊（編輯 宋子喬） 當?shù)貢r間5月21日，納微半導體宣布與英偉達合作開發(fā)下一代800伏高壓直流（HVDC）架構，為包括Rubin Ultra在內(nèi)的GPU提供支持的“Kyber”機架級系統(tǒng)供電。消息一發(fā)布，納微半導體美股盤后漲超180%。

在數(shù)據(jù)中心電源方面，英偉達另一個重要合作伙伴是維諦技術。5月20日，維諦技術宣布計劃在2026年下半年推出800 VDC電源產(chǎn)品系列，支撐英偉達NVIDIA整機柜計算平臺。

與維諦技術不同的是，納微半導體專注于下一代功率半導體技術，致力于開發(fā)高性能的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件，產(chǎn)品廣泛應用于電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、儲能、家用電器及工業(yè)制造等領域。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術可在一定程度上大幅提升“Kyber”機架級系統(tǒng)的能效比、散熱管理和系統(tǒng)可靠性，將在與英偉達的合作中發(fā)揮關鍵作用。

氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料，具有高電子遷移率和耐高溫特性，極大地提升了電源轉換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性；

碳化硅則以其優(yōu)異的耐壓和導熱性能，為高壓直流架構提供了堅實的技術支撐。

值得注意的是，碳化硅產(chǎn)業(yè)正邁入產(chǎn)能擴張與價格博弈的深水區(qū)，一方面，碳化硅晶圓龍頭Wolfspeed由于一直無法解決債務危機，將在數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)；另一方面，中國廠商正在快速崛起，多家供應商在具備6英寸產(chǎn)品量產(chǎn)能力的同時，與海外IDM大廠達成合作：例如天岳先進、天科合達之前已分別就碳化硅與英飛凌簽訂供應協(xié)議，三安光電與意法半導體位于重慶的8英寸碳化硅晶圓合資廠則剛剛于今年3月正式正式通線。

AI電力需求呼喚革命性解決方案 HVDC產(chǎn)業(yè)趨勢進一步得到驗證

在人工智能（AI）行業(yè)迎來技術革新浪潮的背景下，AI模型規(guī)模不斷擴大，算力需求激增，高性能GPU的電源管理成為關鍵瓶頸。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心架構使用傳統(tǒng)的54V機架內(nèi)配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），當功率增加到200kW以上時，這種架構因功率密度、銅材需求和系統(tǒng)效率降低等問題而達到物理極限。

光大證券日前發(fā)布研報稱，此前市場對于AI數(shù)據(jù)中心供電方案發(fā)展趨勢存在分歧，而維諦技術日前宣布計劃發(fā)布800VDC電源產(chǎn)品系列以匹配英偉達技術路線，進一步驗證HVDC產(chǎn)業(yè)趨勢。隨著未來機架功率提升，HVDC在AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)勢將充分凸顯，其滲透率有望持續(xù)提升。

HVDC未來有望逐步替代UPS，主要有以下幾點原因：

1）AI技術發(fā)展推動服務器機架功率持續(xù)提升，隨著機架功率超過300kW，HVDC技術通過減少銅材使用量、降低電流以及減少熱損耗，能夠實現(xiàn)更高效、集中化的電力輸送；

2）HVDC相較于交流UPS省去了逆變環(huán)節(jié)，有利于降低電能損耗、提高可靠性；

3）HVDC系統(tǒng)在占地面積、建設成本、運營成本上均優(yōu)于UPS。

該機構認為，隨著AI迅猛發(fā)展和算力需求急劇增加，AI數(shù)據(jù)中心供配電系統(tǒng)面臨著效率和節(jié)地等指標進一步提升的迫切需求，以上因素將持續(xù)推動數(shù)據(jù)中心供電技術方案由UPS向HVDC發(fā)展，未來HVDC在AI數(shù)據(jù)中心的滲透率有望持續(xù)提升。國內(nèi)公司中：

1）中恒電氣：國內(nèi)HVDC頭部企業(yè)，與阿里巴巴深度合作，市場份額保持領先；

2）禾望電氣：具備成熟電力電子技術經(jīng)驗；

3）盛弘股份：積極推進HVDC相關產(chǎn)品研發(fā)及客戶驗證工作，且APF產(chǎn)品在HVDC產(chǎn)業(yè)趨勢下將充分受益；

4）四方股份：固態(tài)變壓器（SST）產(chǎn)品與HVDC方案適配；

5）麥格米特：在GTC2025大會發(fā)布800VDC電源解決方案；

6）科華數(shù)據(jù)、科士達：擁有HVDC技術儲備。