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2025年05月26日 10:30:32
三星HBM3E基本通過英偉達單芯片認證 成品認證或延遲到下半年完成
《科創(chuàng)板日報》26日訊，目前三星12層HBM3E產(chǎn)品，基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現(xiàn)階段正在進行成品認證程序。三星原本預(yù)計6~7月完成認證，但因延遲，實際結(jié)果或等到2025年下半年出爐。 (Deal Site)
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