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HBM
1.04W關(guān)注
HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊
全部?jī)?nèi)容
2025-06-12 12:45
【集邦咨詢：HBM4將在2026年第二季度量產(chǎn)】財(cái)聯(lián)社6月12日電，在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”上，集邦咨詢分析師許家源指出，HBM迭代快速，預(yù)計(jì)HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過(guò)90%，2026年HBM4將開(kāi)始滲透入市場(chǎng)，供貨商預(yù)計(jì)2026年第二季度量產(chǎn)。SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應(yīng)商，美光快速追趕；英偉達(dá)維持HBM消費(fèi)市場(chǎng)最大份額，預(yù)計(jì)HBM供需仍處平衡。另外，HBM占整體內(nèi)存產(chǎn)能比重持續(xù)提升下，排擠效應(yīng)正重塑內(nèi)存行業(yè)供給格局，預(yù)計(jì)2025年內(nèi)存平均售價(jià)持續(xù)受HBM供需變化所影響。另外，集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，近年來(lái)SiC產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模的產(chǎn)能擴(kuò)張，6英寸SiC晶圓已經(jīng)供過(guò)于求，8英寸轉(zhuǎn)型進(jìn)程有所減速，以中國(guó)車企為代表的全球汽車業(yè)者高度重視SiC供應(yīng)鏈布局。GaN正處于大規(guī)模應(yīng)用的臨界點(diǎn)，由中低功率消費(fèi)電子逐漸走向高功率應(yīng)用，汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等場(chǎng)景蘊(yùn)藏巨大潛力。
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2025-05-27 07:57 來(lái)自 財(cái)聯(lián)社
①據(jù)報(bào)道，目前三星12層HBM3E產(chǎn)品，基本通過(guò)英偉達(dá)的DRAM單芯片認(rèn)證，現(xiàn)階段正在進(jìn)行成品認(rèn)證程序。
②根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，鑒于HBM3e剛推出時(shí)的溢價(jià)比例約為20%，預(yù)計(jì)制造難度更高的HBM4溢價(jià)幅度將突破30%。
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