據(jù)報道，目前三星12層HBM3E產(chǎn)品，基本通過英偉達(dá)的DRAM單芯片認(rèn)證，現(xiàn)階段正在進(jìn)行成品認(rèn)證程序。三星原本預(yù)計6~7月完成認(rèn)證，但因延遲，實(shí)際結(jié)果或等到2025年下半年出爐。

人工智能的飛速發(fā)展對存儲芯片提出了更高要求，HBM（高帶寬內(nèi)存）應(yīng)運(yùn)而生。HBM憑借其高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸等顯著優(yōu)勢，成為高性能計算領(lǐng)域的關(guān)鍵存儲技術(shù)。此前，美光科技高管表示，市場對其用于人工智能模型的HBM芯片的需求強(qiáng)勁，公司2025自然年的所有HBM芯片都已售罄。此外，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術(shù)發(fā)展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品進(jìn)度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數(shù)增加，復(fù)雜的芯片設(shè)計使得晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預(yù)計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示，相關(guān)上市公司中：

回天新材在HBM領(lǐng)域，公司產(chǎn)品導(dǎo)熱凝膠已在部分行業(yè)客戶處供貨，正逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能可以滿足客戶需求。

鼎龍股份表示，存儲芯片HBM技術(shù)涉及到的部分工藝環(huán)節(jié)與公司布局的部分半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料應(yīng)用領(lǐng)域存在很強(qiáng)的相關(guān)性，如公司的半導(dǎo)體封裝PI、臨時鍵合膠產(chǎn)品均可以用于HBM工藝中。