《科創(chuàng)板日報(bào)》5日訊，為提升性能，英偉達(dá)在新一代Rubin處理器的開發(fā)藍(lán)圖中，計(jì)劃把CoWoS先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的中間基板材料，由硅換成碳化硅（SiC）。目前臺積電邀請各大廠商共同研發(fā)碳化硅中間基板的制造技術(shù)，英偉達(dá)第一代Rubin GPU仍會采用硅中間基板。但由于英偉達(dá)對性能進(jìn)步的要求極高，當(dāng)芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱超過極限，就必須采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就會進(jìn)入先進(jìn)封裝。 (臺灣財(cái)訊雙周刊)